英特尔推出五款采用全新超薄堆叠技术制造的闪存芯片辐射源
2022-11-11 16:17:10 达明机械网
英特尔闪存产品部门副总裁darin billerbeck先生在东京举办的英特尔信息技术峰会上作主题演讲时同时宣布，英特尔公司的闪存销量累计已超过20亿片，这一具有里程碑意义的数字表明，闪存在手机和无线通讯设备市场的地位日益重要。
billerbeck先生还表示：“堆叠技术正迅速成为蜂窝式无线通讯设备市场的主流技术。通过把高密度的英特尔? stratafl铝模ash 无线闪存和超薄堆叠式芯片尺寸封装技术结合在一起，无线通讯设备厂商可以获得生产多功能手机所需要的高存储密度，同时节省了手机内部空间，让手机变得更小巧。”
英特尔销售头10亿片闪存用了12年的时间，而其后英特尔只有了3年就销售了另外10亿片闪存。此外，英特尔迄今为止共销售了超过1.5亿片采用英特尔? 堆叠式-csp (芯片尺寸封装)的闪存产品。
在早些时候， 英特尔 ? 堆叠式-csp产品专门根据客户需求设计和生产，满足客户对其手机高端功能方面要求。英特尔公司今天的举措显示了其新的生产战略，即采用标准、批量生产方式，在更短的时间内把更多的堆叠式闪存产品推向市场。这些新的、标准化的堆叠式闪存产品将可以让无线设备制造商充分利用更高密度的闪存，更容易地革新设计，满足无线设备对内存和性能的需求。
世界级的硅及封装技术
英特尔堆叠式-csp产品使用了新的英特尔? 超薄堆叠式芯片尺寸封装技术。这是一种先进的晶元薄化和封装技术，可以让封装厚度更小，堆叠更灵活。通过把高密度的英温州特尔? strataflash 无线闪存和新的超薄堆叠式芯片尺寸封装技术结合在一起，英特尔可以提供尺寸极小、极具吸引力的堆叠产品解决方案。
这些先进的堆叠式-csp产品可以让五层堆叠的晶片只有1.0毫米厚。这些产品可以具有x16和x32总线宽度，以及sram、psram和lp-sdram功能。今年这些产品存储容量可达512 mbits，明年将可以达到1gbits，足够执行代码和大量数据应用，并且带有英特尔最新的多极单元（mlc） 闪存。
英特尔早在1997年推出的多级单元存储技术(multi-level cell memory，mlc)把在单个存储单元中存储的数据增加了一倍，从而提高了存储密度并降低了成本。1.8伏英特尔 strataflash? 无线闪存采用了英特尔第四代的mlc技术，以及尖端的0.13微米制造工艺。它是外卖世界上第一款工作电压为1.8伏的低压mlc闪存，极大地提高了无线通讯设备的性能、电池寿命并缩小了设备的尺寸。 旅游书报
价格和上市时间
带有1.8伏英特尔strataflash 无线闪存的英特尔? 超薄堆叠式-csp产品已可提供样品，预计在2003年第三季度开始量产。具体价格将根据具体的闪存和随机存储器组合而定，以 128mb闪存配置产品为例，最初以10,000片为单位的批量采购建议价为17.75美元。
世界最大的芯片制造商，同时也是世界领先的计算机、网络和通讯产品制造商英特尔公司今天宣布推出新的面向手机的闪存产品。这五种最新的超薄闪存芯片具有存储空间更大、耗电更低、体积更小等优点。英特尔? 超薄堆叠式芯片尺寸封装 (ultra thin stacked chip-scale packaging) 技术采用了电压为1.8伏的英特尔strataflash? 无线闪存，可以帮助手机厂商在相对轻薄小巧的手机上添加数码相机、游戏和电子邮件等丰富功能。英特尔闪存产品部门副总裁darin billerbeck先生在东京举办的英特尔信息技术峰会上作主题演讲时同时宣布，英特尔公司的闪存销量累计已超过20亿片，这一具有里程碑意义的数字表明，闪存在手机和无线通讯设备市场的地位日益重要。
billerbeck先生还表示：“堆叠技术正迅速成为蜂窝式无线通讯设备市场的主流技术。通过把高密度的英特尔? strataflash 无线闪存和超薄堆叠式芯片尺寸封装技术结合在一起，无线通讯设备厂商可以获得生产多功能手机所需要的高存储密度，同时节省了手机内部空间，让手机变得更小巧。”
英特尔销售头10亿片闪存用了12年的时间，而其后英特尔只有了3年就销售了另外10亿片闪存。此外，英特尔迄今为止共销售了超过1.5亿片采用英特尔? 堆叠式-csp (芯片尺寸封装)的闪存产品。
在早些时候， 英特尔 ? 堆叠式-csp产品专门根据客户需求设计和生产，满足客户对其手机高端功能方面要求。英特尔公司今天的举措显示了其新的生产战略，即采用标准、批量生产方式，在更短的时间内把更多的堆叠式闪存产品推向市场。这些新的、标准化的堆叠式闪存产品将可以让无线设备制造商充分利用更高密度的闪存，更容易地革新设计，满足无线设备对内存和性能的需求。
世界级的硅及封装技术
英特尔堆叠式-csp产品使用了新的英特尔? 超薄堆叠式芯片尺寸封装技术。这是一种先进的晶元薄化和封装技术，可以让封装厚度更小，堆叠更灵活。通过把高密度的英特尔? strataflash 无线闪存和新的超薄堆叠式芯片尺寸封装技术结合在一起，英特尔可以提供尺寸极小、极具吸引力的堆叠产品解决方案。
这些先进的堆叠式-csp产品可以让五层堆叠的晶片只有1.0毫米厚。这些产品可以具有x16和x32总线宽度，以及sram、psram和lp-sdram功能。今年这些产品存储容量可达512 mbits，明年将可以达到1gbits，足够执行代码和大量数据应用，并且带有英特尔最新的多极单元（mlc） 闪存。
英特尔早在1997年推出的多级单元存储技术(multi-level cell memory，mlc)把在单个存储单元中存储的数据增加了一倍，从而提高了存储密度并降低了成本。1.8伏英特尔 strataflash? 无线闪存采用了英特尔第四代的mlc技术，以及尖端的0.13微米制造工艺。它是世界上第一款工作电压为1.8伏的低压mlc闪存，极大地提高了无线通讯设备的性能、电池寿命并缩小了设备的尺寸。
价格和上市时间
带有1.8伏英特尔strataflash 无线闪存的英特尔? 超薄堆叠式-csp产品已可提供样品，预计在2003年第三季度开始量产。具体价格将根据具体的闪存和随机存储器组合而定，以 128mb闪存配置产品为例，最初以10,000片为单位的批量采购建议价为17.75美元。
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